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Ionenwanderung in der Nanowelt – vom elektronischen Phänomen zur Technologie der Zukunft

Festvortrag mit Prof. Rainer Waser im LVR-LandesMuseum Bonn

Jülich, 20. November 2014 - Datenspeicher der Zukunft und ihre möglichen Anwendungsgebiete standen gestern Abend im Mittelpunkt des Jülicher Festvortrags zum Jahresende im LVR-LandesMuseum Bonn. Prof. Rainer Waser, diesjähriger Leibnizpreisträger, gab etwa 350 Gästen aus Politik, Wissenschaft und Industrie sowie aus dem Forschungszentrum Einblicke in seine Forschung: Am Peter Grünberg Instititut und an der RWTH Aachen geht der Physikochemiker elektronischen Phänomenen auf den Grund, die für neuartige Informationsspeicher, Logikbauelemente oder zur Energieumwandlung eingesetzt werden können, wie etwa ReRAM-Speicher. Waser und seine Mitarbeiter arbeiten eng mit Unternehmen wie Intel und Samsung Electronics zusammen und gelten als führend auf dem Forschungsgebiet der resistiven Schaltbauelemente.

Memristive Zellen speichern Informationen grundsätzlich anders als etwa eine Festplatte oder ein FLASH-Speicher, nämlich über ihren elektrischen Widerstand, der zwischen hohen und niedrigen Werten schaltbar ist. So können resistive Zellen nicht nur die Zustände Null und Eins einnehmen, sondern auch Zwischenzustände - dies ist eine gute Voraussetzung, um lernfähige Computersysteme nach dem Vorbild der Synapsen aufzubauen, den Kontaktstellen der Zellen im biologischen Nervensystem. Wie bei Synapsen, beruht die Funktion der resistiven Zellen auf der Bewegung von Ionen. Mögliche Einsatzgebiete wären Computer für das autonome Fahren von Fahrzeugen, das Autohersteller derzeit erforschen, sowie Anwendungen im Bereich der intelligenten Energiespeicherung.

Der Mitschnitt des Vortrags wird voraussichtlich Ende Januar 2015 veröffentlicht.

Weitere Informationen

Bildergalerie vom Festvortrag

Tweets von der Veranstaltung (Storify)

mehr zur Forschung zu memristiven Speichern

Peter Grünberg Institut - Elektronische Materialien (PGI-7)

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