Suche

zur Hauptseite

Navigation und Service


BMBF-Verbundprojekt DECISIF zur Erforschung von verspanntem Silizium nimmt Arbeit auf

14,5 Millionen Euro für die Entwicklung von schnellen und sparsamen elektronischen Bauelementen

[23. März 2009]

Jülich, 23. März 2009 – Elektronische Geräte erleichtern uns in Beruf und Freizeit den Alltag. Mit dem Verbundprojekt DECISIF wollen Partner aus Industrie und Wissenschaft die Möglichkeiten von so genanntem verspannten Silizium erforschen, um noch schnellere und energieeffizientere Elektronikbausteine für Laptops, Handys und MP3-Player herstellen zu können.

DECISIF ist ein wichtiger Meilenstein für die zukünftige Fertigung von noch leistungsfähigeren Mikroprozessoren und Speichern mit geringerem Energieverbrauch und damit längeren Betriebszeiten.

Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) hat 8,1 Millionen Euro für das Projekt DECISIF bewilligt (DEvice and CIrcuit performance boosted through SiIlicon material Fabrication). Weitere 6,4 Millionen Euro steuern die Verbundpartner GLOBALFOUNDRIES Dresden, Siltronic AG, AIXTRON AG, Forschungszentrum Jülich und das Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik bei. Durch das EU-Projekt Medea wird auch mit den französischen Partnern STMicroelectronics, SOITEC und LETI kooperiert. Projektkoordinator ist Prof. Siegfried Mantl vom Forschungszentrum Jülich.

Verspanntes Silizium mit den genannten günstigen Eigenschaften wird u.a. mit dem patentierten Verfahren des Forschungszentrums Jülich hergestellt. Durch mechanische Verspannung weitet sich das Kristallgitter des Siliziums und verändert dabei seine elektronischen Eigenschaften: Die Ladungsträger können sich erheblich schneller durch den Transistor bewegen, die mögliche Schaltfrequenz steigt und die Leistungsaufnahme sinkt. Damit öffnet sich der Weg zu leistungsfähigeren und dabei immer kleineren Transistoren. Zum Erreichen besonders hoher Ladungsträgerbeweglichkeiten in Transistoren sollen auch die Vorteile des (global) verspannten Siliziums mit neuen Verfahren zur Erzeugung lokaler Verspannungen kombiniert werden. Hierzu werden Verfahren der Nanostrukturierung genutzt.

DECISIF schlägt die Brücke von der Grundlagenforschung mit verspanntem Silizium hin zu anwendungsnaher Technik. Die Kombination des neuen verspannten Siliziums mit der bekannten Silicon On Insulator-Technik soll zur Entwicklung einer neuen Material-Generation auf industriekompatiblen 300-Millimeter-Wafern führen. Diese bieten die Basis für zukünftige Bauelementetechnologien und Transistoren mit Strukturgrößen bis zu 22 Nanometern.

Pressekontakte:

Andrea Maichin
AIXTRON AG
Tel. 0241 8909-351
E-Mail: a.maichin@aixtron.com

Karin Raths
GLOBALFOUNDRIES Dresden
Tel. 0351 277 1013
E-Mail: karin.raths@amd.com

Kosta Schinarakis
Forschungszentrum Jülich
Tel. 02461 61-4771
E-Mail: k.schinarakis@fz-juelich.de

Reinald Hillebrand
MPI
Tel. 0345 5582911
E-Mail: hi@mpi-halle.mpg.de

Kai Knitter
Siltronic AG
Tel. 089 8564-3211
E-Mail: kai.knitter@siltronic.com


Servicemenü

Homepage