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Masterarbeit: Untersuchung des elektrischen Transportes in dem neuen Halbleitermaterialsystem Si-Ge-Sn

Ausschreibendes Institut: PGI-9 - Halbleiter-Nanoelektronik
Kennziffer: D022/2014, Physik, Festkörperphysik

Kürzlich ist es uns gelungen, einkristalline Ge-Sn und Si-Ge-Sn Schichten auf Si(100) mit CVD Abscheidung mit sehr hoher Kristallqualität herzustellen. Erste Photolumineszenzmessungen zeigen eine einstellbare Bandlücke um 0.5 eV, vermutlich mit direktem Bandübergang. Bisher gibt es nur strukturelle und wenige optische Untersuchungen, aber kaum Daten über den elektrischen Transport. Im Rahmen dieser Masterarbeit sollen die Ladungsträgerbeweglichkeiten gemessen werden. Dafür ist die Herstellung und Charakterisierung von Langkanal-MOSFETs vorgesehen. Die Bauelementprozessierung wird im neuen Reinraum der Helmholtz Nanofacility erfolgen. Zahlreiche Vorarbeiten hierzu sind bereits gelaufen. Wir erwarten ein sehr großes Anwendungspotentials des neuen Si-Ge-Sn Materialsystems, sowohl für die Nanoelektronik als auch für die integrierte Optik. Gute Kenntnisse der Festkörperphysik sind erwünscht.

Ansprechpartner:
Prof. Dr. Siegfried Mantl
Peter Grünberg Institut 9-IT (PGI-9-IT)
Forschungszentrum Jülich
D-52425 Jülich

s.mantl@fz-juelich.de

Tel.: 02461-613643
Fax: 02461-614673


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