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Masterarbeit: Untersuchung von ternären high-k Materialien für elektronische Bauelemente

Ausschreibendes Institut: PGI-9 - Halbleiter-Nanoelektronik
Kennziffer: D023/2014, Physik, Festkörperphysik

HfO2 ist das aktuelle Gatedielektrikum in kommerziellen Silizium-Mikroprozessoren. Kürzlich wurde SiO2 durch HfO2 als Gateoxid ersetzt. Mittels geeigneter Dotierung ist es möglich, die Dielektrizitätskonstante von HfO2 (etwa 20) deutlich zu erhöhen (30-40). Dabei sind Grenzflächenreaktionen zwischen dem Dielektrikum und dem Siliziumwafer von besonderer Bedeutung. Im Rahmen dieser Masterarbeit sollen Gate-Stacks ternärer high-k Dielektrika hergestellt und strukturell und elektrisch charakterisiert werden.
Die Oxid-Schichten werden mit Atomic layer deposition (ALD) und die metallischen Kontakte (TiN, TaN..) in einem AVD-Reaktor deponiert. Die Prozessierung der Teststrukturen wird im neuen Reinraum der Helmholtz Nanofacility erfolgen. Zahlreiche Vorarbeiten hierzu sind bereits gelaufen. Wir erwarten Anwendungen dieser Materialien in diversen nanoelektronischen Bauelementen. Gute Kenntnisse der Festkörperphysik sind erwünscht.

Ansprechpartner:
Prof. Dr. Siegfried Mantl
Peter Grünberg Institut 9-IT (PGI-9-IT)
Forschungszentrum Jülich
D-52425 Jülich

s.mantl@fz-juelich.de

Tel.: 02461-613643
Fax: 02461-614673


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