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Promotionsstelle: Erforschung von Si basierten MOS- und Tunnel-Feld-Effekt-Transistoren

Ausschreibendes Institut: PGI-9 - Halbleiter-Nanoelektronik
Kennziffer: D056/2014, Physik oder Elektrotechnik

In der Position erwartet sie:
Am Peter Grünberg Institut für Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9-IT), Forschungszentrum Jülich GmbH, ist eine Promotionsstelle für die Erforschung von MOS- und Tunnel-Feld-Effekttransistoren (TFET) zu besetzen. TFETs gelten als das vielversprechendste Konzept für eine energieeffizientere Elektronik, insbesondere für Ultra Low Power Anwendungen. Kürzlich haben wir bei der Erforschung von TFETs und dem epitaktischem Wachstum des neuen Halbleitersystems, Si-Ge-Sn, grundlegende Fortschritte erzielt. Wir verfolgen verschiedene Bauelementkonzepte, insbesondere hochskalierte Nanodrahttransistoren mit high-k/TiN Gates. Im Rahmen dieses Vorhabens sollen MOSFETS und TFETs mit diesen neuen Halbleitern realisiert werden. Das völlig neue Materialsystem Si-Ge-Sn ermöglicht die Bandstruktur in einem breiten Bereich anzupassen. Zudem nutzen wir elastische Verspannung, um die elektronischen Eigenschaften, wie Bandlücke und Ladungsträgerbeweglichkeit, zu optimieren. Einen Einblick in unsere TFET Arbeiten bietet L. Knoll et al. Electronic Device Letter 34 (2013) 813 doi: 10.1109/LED.2013.2258652 und darin zitierte Arbeiten. Die hierfür erforderlichen Schichtstrukturen werden im Hause präpariert. S. Wirth et al. (Appl. Phys. Lett. 102, 192103 (2013); doi: 10.1063/1.4805034) beschreibt bahnbrechende Ergebnisse zum CVD Wachstum von Si-Ge-Sn Schichten. Die Gateoxide werden mittels Atomic Layer Deposition (ALD) und die Nitride mit AVD in einem Clustersystem für 200/300 mm Wafer deponiert. Das Vorhaben wird durch das EU Projekt „E2SWITCH“ und das BMBF Projekt „Ultra Low Power Elektronik mit Tunnel-Feldeffekttransistoren“ finanziell und durch Kooperationen unterstützt.

Das Institut verfügt über verschiedene Schichtwachstumsverfahren, Implantationseinrichtungen, Simulationstools, einen neu errichteten Reinraum (Helmholtz Nanofacility (HNF)) mit Lithographiemöglichkeiten bis in den Bereich weniger Nanometer und eine ausgezeichnete Analytik. Damit sind hervorragende Arbeitsmöglichkeiten gegeben.

Wir erwarten von Ihnen:
Diplom- oder Masterabschluss in Physik oder Elektrotechnik. Erwünscht sind sehr gute Kenntnisse der Festkörperphysik und experimentelles Geschick für Reinraumarbeiten. Die Promotion kann an der RWTH Aachen in der Physik oder in der Elektrotechnik erfolgen.

Bewerbungen an und weitere Informationen bei:
Prof. Dr. Siegfried Mantl
Peter Grünberg Institut -9/IT (PGI-9-IT)
Forschungszentrum Jülich
D-52425 Jülich

s.mantl@fz-juelich.de
http://www.fz-juelich.de/pgi/pgi-9/EN/Home/home_node.html
Tel.: 02461-61 3643
Fax: 02461-61 4673


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