SHADOW WALL EPITAXIE: Das Wachstum von Morgen

Die Weiterentwicklung der Verbundhalbleiter-Technologie mit der robusten Shadow Wall Technique:

INVESTIEREN SIE IN DIE ZUKUNFT DER VERBUNDHALBLEITER!

INNOVATION

  • Integration von Verbindungshalbleitern mit der bewährten CMOS-Halbleiter-Prozesstechnologie.
  • Ermöglicht aufs Bauelement zugeschnittene Kompositionen und Dotierprofile mit atomarer Präzision.
  • Ätzfreie Fabrikation von Hybridbauelementen.
  • Vollständiger in-situ Prozessablauf.
SHADOW WALL EPITAXIE: Growth of tomorrow
Typische Halbleitermaterialien, die mit der Shadow Wall Technique kompatibel sind. Eine breite Palette von Halbleitern, Metallen und Oxiden kann verarbeitet werden.
Copyright:
— Forschungszentrum Jülich

IHRE VORTEILE

  • Überlegene Leistung und hochwertige Verbindungshalbleiter-Bauelemente.
  • Eine skalierbare Technologie mit der Möglichkeit weitere Materialien zu integrieren.
  • Unterstützung bei der schnellen Herstellung von Prototypen neuartiger Bauelemente der nächsten Generation.
  • Reduzierung von Fabrikationsschritten, -aufwand und Kosten.

KERNTECHNOLOGIE

Ständige Innovation in der Mikrochip-Herstellung ermöglicht es physikalische Grenzen und technologische Schwierigkeiten zu überwinden. Die Integration neuartiger Materialien in die Halbleitertechnologie verspricht einen revolutionären Einfluss auf die Herstellung neuer Bauelemente.

Der Nanoclusters des Forschungszentrums Jülich: Eine weltweit einzigartige Kombination von 11 UHV-Epitaxie-/Abscheidungsanlagen, einschließlich MBE-, ALD- und Sputteranlagen für ein vollständiges in-situ Materialwachstum.
Copyright:
— Forschungszentrum Jülich

Unsere innovative Shadow Wall Technique für die Molekular-strahlepitaxie (MBE) ermöglicht uns verschiedenste Halbleiter-Materialsysteme mit hervorragender Kristallqualität herzustellen. Die vorgefertigten Wände schatten die Molekularstrahlen ab und ermöglichen Wachstum nur auf lokal definierten Bauelement-Bereichen.

In Kombination mit der Abscheidung von Metallen und Oxiden ermöglicht diese Technologie die Realisierung verschiedener, vollständig in-situ prozessierter Bauelemente, beispielsweise für niederohmige, elektrische Kontakte oder elektrische Gatter.

SHADOW WALL TECHNIQUE

Unsere Shadow Wall Technique ist ein selektives und richtungsabhängiges Molekularstrahlepitaxie-Verfahren für die lokale Definition von Bauelement-Bereichen. Es ermöglicht eine vollständige in-situ-Fabrikation kompletter Bauelemente wie beispielsweise Feldeffekttransistoren (FETs), Lichtemitter und Photodetektoren.

SHADOW WALL EPITAXIE: Das Wachstum von Morgen
Copyright:
— Forschungszentrum Jülich

ÜBER UNS

Wir sind ein Team von engagierten Wissenschaftlern und Materialspezialisten am Forschungszentrum Jülich GmbH mit einer starken Expertise im epitaktischen Wachstum von Verbindungshalbleitern und der Nanofabrikation.

PD Dr. Alexander Pawlis

Leitung der Arbeitsgruppe Halbleiterepitaxie und Quantenoptik (PGI-9) Wissenschaftliche Leitung des Nanoclusters (PGI-10)

  • Peter Grünberg Institut (PGI)
  • JARA-Institut Energy-efficient information technology (PGI-10)
Gebäude 02.6 /
Raum 4024
+49 2461/61-2077
E-Mail

Dr. Yurii Kutovyi

  • Peter Grünberg Institut (PGI)
  • Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)
Gebäude 02.6 /
Raum 4022
+49 2461/61-5613
E-Mail

Dr. Nils von den Driesch

  • Peter Grünberg Institut (PGI)
  • JARA-Institut Energy-efficient information technology (PGI-10)
Gebäude 02.6 /
Raum 4022
+49 2461/61-85647
E-Mail

Letzte Änderung: 19.04.2024