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Institut für Energie- und Klimaforschung

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Nano-Technologie

Nano-technologische Verfahren gewinnen stets an Bedeutung bei der Erforschung und Herstellung neuartiger, hoch effizienter Solarzellen. Dabei kann z.B. die hier gezeigte Nano-Imprint-Technologie dazu eingesetzt werden, Glassubstrate, die bei Dünnschicht-Solarzellen eingesetzt werden, zu strukturieren. Die hergestellte Textur verbessert das Licht-Management der Solarzelle. Der große Vorteil der Nano-Imprint-Technologie besteht darin, dass verschiedenste Strukturen auf ein Glassubstrat übertragen werden können, die der Verbesserung der optischen Eigenschaften dienen. Somit können neuartige Texturen in Kooperation mit der Optik Gruppe designed und erzeugt werden, welche sich in optischen Simulationen als besonders günstig herausgestellt haben.
Zudem ist die Nano-Imprint-Technologie ein Verfahren, welches sich auch auf großen Substratflächen realisieren lässt und einen hohen Produktionsdurchsatz erlaubt. Dies ist essentiell wichtig für die industrielle Umsetzung. Ziel der Arbeitsgruppe ist es daher, nano-technologische Prozesse zu entwickeln, welche sich in einer modernen Großflächen-Produktion realisieren lassen. Dies geschieht in Zusammenarbeit mit industriellen Partnern in Verbundprojekten, welche Kompetenzen der Aufskalierung von Nano-Imprint-Verfahren haben.

Nano-Imprint-Technologie

Publikationen


M. Meier, U. W. Paetzold, M. Prömpers, T. Merdzhanova, R. Carius, A. Gordijn, “UV nanoimprint for the replication of etched ZnO:Al textures applied in thin-film silicon solar cells”, Prog. Photovolt: Res. Appl., DOI: 10.1002/pip.2382 (2013).

U. W. Paetzold, E. Moulin, D. Michaelis, W. Böttler, C. Wächter, V. Hagemann, M. Meier, R. Carius, U. Rau, “Plasmonic reflection grating back contacts for microcrystalline silicon solar cells”, Appl. Phys. Lett. 99, 181105 (2011).

U. W. Paetzold, W. Zhang, M. Prömpers, J. Kirchhoff, T. Merdzhanova, S. Michard, R. Carius, A. Gordijn, M Meier, “Thin-film silicon solar cell development on imprint textured glass substrates”, Mat. Sci. Eng. B 178, 617-622 (2013).

Ansprechpartner:
M. Meier
F. Lentz


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