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Oberflächenzustände von Halbleiternanodrähten aufgedeckt

Oberflächenzustände von Halbleiternanodrähten aufgedeckt
Forscher aus dem PGI-5 haben dazu beigetragen, die Oberflächenstruktur von Galliumnitrid-Nanodrähten aufzuklären. Ihre Erkenntnisse gelten wahrscheinlich auch für Nanodrähte aus anderen Halbleitern und geben neue Impulse für die Entwicklung miniaturisierter optoelektronischer Bauteile. Die Grafik veranschaulicht die Zustandsdichte an der Oberfläche eines Galliumnitrid-Kristalls (unten) im Vakuum, also die Wahrscheinlichkeit, mit der Elektronen bestimmte Energieniveaus besetzen (rot = hoch, grün = niedrig).

Originalveröffentlichung: Hidden surface states at non-polar GaN (1010) facets: Intrinsic pinning of nanowires; L. Lymperakis et al.; Appl. Phys. Lett. 103, 152101 (2013), published online 7 October 2013, DOI: 10.1063/1.4823723, Article

Institutsbereich: Mikrostrukturforschung (PGI-5)

Quelle: Forschungszentrum Jülich
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