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Peter Grünberg Institut
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Stephan Wirths mit dem Exzellenzpreis des Forschungszentrums Jülich geehrt

17.09.2016

Dr. Stephan Wirths entwickelte am Peter Grünberg Institut für Halbleiter Nanoelektronik (PGI-9) einen Tieftemperatur-Wachstums-Prozess, für Germanium-Zinn-Legierungen mit Zinn Konzentrationen bis zu 14% und sehr guter Schichtqualität.

Dies übersteigt die maximale Löslichkeit von Sn in Ge im thermodynamischen Gleichgewicht von 1% deutlich. Die Schichten weisen eine direkte Bandlücke auf, diese sind somit für optoelektronische Bauelemente, wie Leuchtdioden und Laser-Bauelemente verwendbar. Im Zuge seiner Doktorarbeit entstand so der erste optisch gepumpte GeSn Laser auf einem Si Substrat. "Bislang war es nicht möglich, Bauelemente aus mit Si leicht integrierbaren Gruppe-IV-Elementen herzustellen, die effizient Licht ausstrahlen", erklärt Wirths die Bedeutung seiner preisgekrönten wissenschaftlichen Arbeit. Seit Anfang des Jahres forscht der 30-jährige Physiker als Postdoc bei "IBM Research" in Zürich.

Stephan Wirtz JuDocs 2016


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