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Peter Grünberg Institut
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Inbetriebnahme der Nanocluster-ALD

Die Atomlagenabscheidung (atomic layer deposition, ALD) am Nanocluster, eine Oxford® FlexAL® ALD, wurde von den Forschern des Peter Grünberg Instituts in Betrieb genommen. In der ALD können Isolationsschichten sowohl aus Oxiden als auch aus Nitriden deponiert werden.

Für die Oxide stehen dabei die thermische Abscheidung sowie die Abscheidung mit Plasma- und Ozonunterstützung zur Verfügung. Erste Versuche zur Deposition von Al2O3, HfO2 und TiO2 auf 4‘‘ Si-Substraten zeigen Rauigkeiten < 1 nm sowie eine hervorragende Homogenität über die gesamte Waferoberfläche (< 2%).
Die Vielfalt der deponierbaren Materialien wird zukünftig noch durch Ta2O5, TiN sowie TaN erweitert.

Atomic layer depositionAtomic layer Depostion (ALD) Anlage (Atomlagenabscheidung)
Copyright: Torsten Rieger und Benjamin Bennemann, PGI-9


Kontakt:

Torsten Rieger, t.rieger@fz-juelich.de


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