Suche

zur Hauptseite

Peter Grünberg Institut
(leer)

Navigation und Service


Broken Gap Kern-Hülle-Nanodrähte für TFETs

Kern-Hülle Nanodrähte (Core-Shell-Nanowires) aus InAs und GaSb werden als geeignete Systeme für zukünftige energiesparende Bauelemente wie z.B. TFETs angesehen. Der Heteroübergang zwischen InAs und GaSb ist vom Typ III (broken gap) und stellt den Idealfall für ein effizientes Band-zu-Band-Tunneln dar. Forscher vom PGI9 haben jetzt das Wachstum mittels MBE sowie die morphologischen und strukturellen Eigenschaften dieser Nanodrähte untersucht.

Die GaSb Hülle kann entweder gleichmäßig oder konisch zulaufend um den InAs Kern gewachsen werden, die Form hängt dabei nur von der Wachstumstemperatur ab. Der Gitterversatz zwischen InAs und GaSb beträgt nur 0.6%, daher zeigen TEM-Untersuchungen versetzungsfreie Nanodrähte mit Schichtdicken über dem kritischen Wert für planare Systeme. Dies demonstriert, dass Verspannungen in niedrig dimensionalen Systemen effizienter ausgeglichen werden können. Hochauflösende TEM-Aufnahmen weisen sowohl auf glatte Oberflächen als auch auf abrupte Grenzflächen hin.
Die dargestellten Nanodrähte stellen die erste Untersuchung von III-V Halbleiter Core-Shell Nanodrähten dar, bei denen sowohl die Kationen als auch die Anionen beim Übergang vom Kern zur Hülle wechseln. (Veröffentlichung)

GaSb-InAs Kern-Hülle NanodrahtTransmissionselektronenmikroskopische Aufnahme eines GaSb-InAs Kern-Hülle Nanodraht
Copyright: Torsten Rieger, PGI-9


Kontakt:

Torsten Rieger, t.rieger@fz-juelich.de


Servicemenü

Homepage