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Peter Grünberg Institut
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Nanokristallines HfO2 auf InAs Nanodrähten

Wird HfO2 mittels Atomlagenabscheidung (ALD) auf InAs Nanodrähten deponiert, bilden sich bereits bei geringen Schichtdicken kristalline Bereiche in der HfO2-Hülle. Dies konnte von Forschern des Peter Grünberg Instituts in Zusammenarbeit mit der Universität Siegen gezeigt werden.

InAs Nanodrähte stellen Kandidaten für zukünftige Feldeffekttransistoren (FETs) dar, dafür muss die Oberfläche der Nanodrähte jedoch passiviert und ein high-k Dielektrikum aufgebracht werden. Dies kann z.B. HfO2 sein. Die Untersuchungen zeigen, dass das HfO2 mittels ALD gleichmäßig um die Nanodrähte deponiert werden kann. Jedoch bilden sich bereits bei geringen Schichtdicken von 3 nm als auch bei niedrigen Depositionstemperaturen nanokristalline Bereiche im HfO2. Diese nanokristallinen Bereiche würden die Performance der FETs beeinflussen. Die Untersuchungen fokussieren sich auf die Bildung, Entwicklung und Kristallstruktur der Kristallite sowie deren Vermeidung. Durch Verwendung einer laminaren Struktur aus HfO2 und Al2O3 kann die Bildung von kristallinem HfO2 selbst bei hohen Temperaturen vermieden werden. (Veröffentlichung)

HfO2 auf InAs NanodrahtHfO2 abgeschieden auf einem InAs Nanodraht
Copyright: Torsten Rieger, PGI-9


Kontakt:

Torsten Rieger, t.rieger@fz-juelich.de


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