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Peter Grünberg Institut
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Sinano Best Paper Award für Lars Knoll

Lars Knoll, Doktorand am PGI-9, erhielt den Sinano Best Paper Award von Prof. Francis Balestra, Direktor des Sinano Institutes für den besten Konferenzbeitrag bei der internationalen IEEE Device Konferenz ULIS2011. Der Preis wurde im Rahmen der ULIS2012 in Grenoble am 6. März 2012 überreicht.

Sein Beitrag hatte den Titel „20 nm gate length Schottky MOSFET with ultra thin NiSi/epitaxial NiSi2 source/drain”. Die Abbildung zeigt einen Querschnitt des Transistors aufgenommen mit einem Transmissionselektronenmikroskop mit einem 20 nm HfO2/TiN Gate, den einkristallinen NiSi2 Source/Drain Silizidkontakten und einem ultradünnem Silizium Kanal, der mit Hilfe eines SOI (silicon on insulator) Wafers realisiert wurde. Im Rahmen seiner Promotionsarbeit erforscht Lars Knoll Tunnel-MOSFETs, auch als „Green Transistors“ bezeichnet, die nach Simulationsrechnungen wesentlich energieeffizienter als Standardtransistoren sind.

Transmission electron micrograph of a Schottky Barrier MOSFETTransmissionselektronenmikroskop-Aufnahme eines Schottky Barrieren MOSFETs


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