Suche

zur Hauptseite

Peter Grünberg Institut
(leer)

Navigation und Service


Uniaxial verspannte Si/SiGe-Heterostrukturen

Der Prozess basiert auf der He-Ionenimplantation und der anschließenden thermischen Behandlung. Die Relaxation der Verspannung wird bestimmt durch die Dichte der Versetzungsringe, die während der thermischen Behandlung erzeugt werden und die als Quellen für Versetzungen fungieren, sowie durch die mittlere Weglänge der Fadenversetzungen. Da die Wahrscheinlichkeiten für die Entstehung von Versetzungsringen mit verschiedenen, aber kristallographisch äquivalenten Burgers-Vektoren sowie die durchschnittlichen Weglängen der resultierenden Versetzungen in den beiden <110>-Richtungen gleich sind, ist die Relaxation der SiGe-Schicht symmetrisch (isotrop), d.h. die SiGe-Kristallstruktur bleibt tetragonal während der Relaxation. Diese Symmetrie kann gebrochen werden, indem in die SiGe-Schicht µm-breite [110]-Streifen strukturiert werden, da in diesem Falle die Weglänge für Fadenversetzungen durch die beiden Seiten der Streifen bei Ausbreitung in [-110]-Richtung begrenzt wird, wodurch eine Reduzierung der Versetzungsdichte (misfit-dislocation MD-Dichte) in dieser Richtung und damit eine entsprechende Reduzierung des Relaxationsgrades in der [110]-Richtung resultiert. Die Kristallstruktur wird orthorhombisch während der Relaxation. Die Idee ist nachfolgend illustriert.

uniaxial relaxation


Servicemenü

Homepage