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Peter Grünberg Institut
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InAs-Nanowire

Halbleiter-Nanodrähte

Der sogenannte Bottom-Up Ansatz erlaubt es Halbleiternanostrukturen direkt mittels Epitaxie herzustellen. Im Gegensatz zu den alternativen Top-Down Ansatz, bei dem Nanostrukturen durch aufwändige Lithographieverfahren definiert werden, eröffnet sich hier die Möglichkeit den Herstellungsprozess erheblich zu vereinfachen. Unter den möglichen Strukturen, die mittels des Bottom-Up Verfahrens hergestellt werden, sind Halbleiternanodrähte von besonderem Interesse. Der damit verbundene eindimensionale elektrische Leitungskanal kann nicht nur als Element für zukünftige Nanotransistoren genutzt werden sondern er ist darüber hinaus auch eine vielseitige Basis für unterschiedlichste Quantenstrukturen. Mehr: Halbleiter-Nanodrähte …

TI-teaser-360-185-EN

Molekularstrahlepitaxie des topologischen Isolators Bi2Te3 auf Si (111) Substraten

Seit der Entdeckung einer neuen Materialklasse, den sogenannten topologischen Isolatoren,  gibt es große Forschungsanstrengungen an diesem neuartigen Typ von Festkörpern. Topologische Isolatoren, wie zum Beispiel Bi2Te3, sind Isolatoren im Volumen und haben eine lineare Energiedispersion an der Oberfläche. More: Molekularstrahlepitaxie des topologischen Isolators Bi2Te3 auf Si (111) Substraten …

SiGe-QCL

SiGe Quantenkaskadenlaser im mittleren Infrarotbereich

Wir beschäftigen uns mit der Realisierung von Quantenkaskadenlasern (QCL), die auf dem indirekten SiGe-Materialsystem basieren. QCLs basieren auf Intersubbandübergängen, die von Natur aus direkt sind, und daher ist es vorstellbar, QCLs aus indirekten Halbleitern, wie zum Beispiel Si und Ge, zu entwickeln. More: SiGe Quantenkaskadenlaser im mittleren Infrarotbereich …

Silicon field-effect-transistor

High-k Dielektrika

Viele Materialien sind als Ersatz für SiO2 in Feldeffekt-Transistoren vorgeschlagen worden, aber ein idealer Ersatz ist immer noch nicht gefunden. Hf-basierte Lösungen sind erfolgreich für den 45 nm Knoten eingesetzt worden, aber laut ITRS-roadmap werden anderen Materialien für die weitere Skalierung benötigt. Wir untersuchen ternäre Oxide (Rare Earth-Scandates) die vielversprechende Eigenschaften aufweisen. Diese Materialien haben wir in Langkanal-MOS-Transistoren und anderen Bauelementen (e.g. ChemoFETs, nanowire-FET) verwendet. More: High-k Dielektrika …

Strain fabrication

High mobility channel materials

In the past three decades, scaling of MOSFETs resulted in new technology generations every two to three years with doubled logic device density, lowered cost per logic function and increased chip performance. To continuously improve device performance, new device structures, new materials and strain engineering have been proposed and investigated. Among all these new technologies, strain engineering has been the dominant technique to enhance field-effect transistor performance during the past decade. More: High mobility channel materials …

Si-Nano-MOSFET

Innovative Si(Ge)-based Nano Devices

Optimizations of Si-based nano-MOSFETs are required in order to increase the current drive and to suppress short-channel effects. The improvement of electrostatic integrity for a better gate control, lowering of source/drain series resistance, and enhancement of the carrier injection, are the main points of the study. The present research focuses mainly on the gate-all-around (GAA) nanowire MOSFET, Schottky barrier MOSFET and Tunnel FET-Green Transistor. More: Innovative Si(Ge)-based Nano Devices …

Ge-dot-array

Dreidimensionale Ge-Quantenpunktkristalle

Große Anstrengungen werden für die Schaffung künstlicher Materialien für die Realisierung zukünftiger Bauelemente unternommen. In diesem Projekt geht es um die Entwicklung eines künstlichen Materialsystems, den sogenannten Ge-Quantenpunktkristallen. More: Dreidimensionale Ge-Quantenpunktkristalle …

d-dot-FET

The disposable DotFET:
Locally strained silicon for CMOS

The goal of the d-DotFET research activities is the evaluation of an entirely new path to fabricate strained Si nano-devices which are compatible to Si CMOS processing. The idea is to fabricate field effect transistors from strained Si bridges, which have been manufactured by disposing embedded, sacrificial Ge islands (dots). More: The disposable DotFET: Locally strained silicon for CMOS …


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