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Peter Grünberg Institut
Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)
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Nanoscale Rieger
Broken Gap Kern-Hülle-Nanodrähte für TFETs
Kern-Hülle Nanodrähte (Core-Shell-Nanowires) aus InAs und GaSb werden als geeignete Systeme für zukünftige energiesparende Bauelemente wie z.B. TFETs angesehen. Der Heteroübergang zwischen InAs und GaSb ist vom Typ III (broken gap) und stellt den Idealfall für ein effizientes Band-zu-Band-Tunneln dar. Forscher vom PGI9 haben jetzt das Wachstum mittels MBE sowie die morphologischen und strukturellen Eigenschaften dieser Nanodrähte untersucht.
Mehr: Broken Gap Kern-Hülle-Nanodrähte für TFETs …

Fokus

InAs-Nanowire

Research Topic

Halbleiternanodrähte lassen sich direkt über das sogenannte Bottom-Up Verfahren herstellen. Im Gegensatz zur üblichen Top-Down Methode, bei der optische bzw. Elektronenstrahllitho- graphie zum Einsatz kommt, hat das Bottom-Up Verfahren das Potenzial die Herstellung von niedrigdimensonalen Nanostrukturen drastisch zu vereinfachen. Mehr: Research Topic …

JARA-FIT

Netzwerk

Welche Alternativen gibt es zu den heutigen Computern, die auf Kristallen aus Silizium oder anderen Halbleitern basieren? Was ist – physikalisch gesehen – der kleinstmögliche Apparat, auf dem Rechenvorgänge ablaufen können? Gibt es ein Mindestmaß an Energie für Rechenoperationen?
JARA-FIT

Three students attending the JARA FIT labcourse dressed in a cleanroom overall

JARA FIT Lab Course

Studenten nach dem Bachelor Abschluss sind eingeladen am JARA-FIT Laborpraktikum teilzunehmen. Das einwöchige Praktikum findet jedes Jahr im September statt. Das Ziel des Praktikums ist es fortgeschrittenen Studenten aktuelle Forschungsthemen der Nanoelektronik näher zu bringen. Mehr: JARA FIT Lab Course …


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