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Peter Grünberg Institut
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III-V MBE und Oberflächenanalyse

MBE von III-As Nanoheterostukturen 

Eine der Varian Mod Gen II MBE-Systeme ist ausgestattet mit einem As-Cracker, zwei Ga-dual-Quellen sowie je einer In und Al-Quelle. Si und Be werden zur Dotierung verwendet. Die Anlage wird für das Wachstum verschiedenster, hoch qualitativer GaAs/AlGaAs/InGaAs Nanoheterostrukturen innerhalb unserer Projekte verwendet. Zusätzlich werden Ga(In) unterstützte NWs mit axialen und/oder lateralen Heterostrukturen sowie kontrollierter Dotierung gewachsen.

MBE for III-As nanoheterostructures

MBE von III-Sb/III-As Nanoheterostrukturen

Das zweite Varian Mod Gen II MBE-System ist ausgestattet mit As- und Sb-Cracker-Quellen, Ga und In dual-Quellen sowie einer Al-Quelle. Si und C werden zur Dotierung verwendet. Die Anlage wird für das Wachstum von III-Sb/III-As-Typ-II-Nanoheterostrukturen genutzt, der Fokus liegt dabei auf resonanten Tunnelstrukturen mit speziellen Eigenschaften und Feldeffekttransistoren. Zukünftige Aktivitäten beinhalten das Wachstum von Sb-basierten NWs mit axialen und/oder lateralen Heterostrukturen sowie kontrollierter Dotierung.

III-V-MBE-Sb


Oberflächenanalyse 

Die Oberflächenanalyse der gewachsenen Heterostrukturen wird in einer Leybold Max 200 Anlage durchgeführt, diese ist direkt verbunden mit den Wachstumsanlagen durch UHV-Schleusen. Das System beinhaltet XPS, UPS, AES und LEED Analyseeinheiten. Die Qualität der Heterogrenzflächen und Bandverbiegungen kann bestimmt werden. Von speziellen Interesse ist die Untersuchung der Grenzfläche Halbleiter/High-k-Dielektrika (abgeschieden ex-situ per ALD) für unsere Forschungen an Feldeffekttransistoren. Die Untersuchung an anderen Materialien wie etwa topologische Isolatoren und Graphen ist auch vorgesehen.

III-V-Surface Analysis


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