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Peter Grünberg Institut
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Molekularstrahlepitaxie (Topologische Insolatoren)

Das Molekularstrahlepitaxiesystem ist ein Ultrahochvakuumsystem mit einem Basisdruck von 1x10-9 mbar. Das System ist bestückt mit Bi, Te, and Se Effusionszellen um damit Bi2Te3 und Bi2Se3 Epitaxieschichten zu wachsen. Typische Wachstumsraten sind 5 – 20 nm/h. Das System ist in der Lage Substrate mit Abmessungen bis zu 100 mm aufzunehmen. Der Bi, Se und Te Fluss wird mit einem Quadrupol-Massenspektrometer überwacht. Desweiteren ist ein Rastertunnelmikroskop (STM) installiert, welches eine in-situ Abrasterung der Oberfläche in atomarer Auflösung erlaubt.

MBE (topological insulators)


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