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Peter Grünberg Institut
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Oxy-Molekular Strahl Epitaxie

In einer Ultra-Hochvakuum Apparatur werden molekulare Strahlen verwendet, um dünne Schichten in Sauerstoff - O2 und/oder O3 - Atmosphäre herzustellen. Die Depositionskammer ist mit 2 Elektronenstrahlverdampfern und 4 Effusionszellen ausgerüstet. Im momentanen Aufbau ist eine co-Deposition von Si, Lu, Al, La, and Sc möglich oder GdScO3 kann mit dem Elektronenstrahlverdampfer auf 100 mm Wafern von RT bis hinauf zu 1200 °C gewachsen werden. Wafer Sauberkeit und das epitaktische Wachstum der Filme kann mittels RHEED Analytik kontrolliert werden. Unser Ziel ist die Entwicklung von dünnen hoch-k Isolatorschichten auf Halbleitern um diese in MOS-Bauelementen einzusetzen. Dies haben wir schon für LaLuO3, LaScO3 und GdScO3 erreicht. Weitere Informationen können hier gefunden werden.

Oxy-MBE-laboratoryThe OxyMBE lab

Electron-beam evaporator for oxy-MBEE-beam evaporators and effusion cells


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