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Peter Grünberg Institut
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Atomic Layer Deposition

Die Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) ist eine vielseitige Methode um dünne, konformale Schichten zu waschen, vor allem High-k-Dielektrika. Unser neues System ist eine anwendungsspezifische SVTA NorthStar ALD-P-200B Anlage, ausgestattet mit einer Heißwand-Depositionskammer und einer Schleusenkammer mit einem Anschluss für eine zukünftige Ankopplung an UHV-Systeme. Die Anlage hat einen Gasverteiler für vier Precursor, eine Ozon-Quelle sowie geheizte Trägergasleitungen mit schnellen ALD-Ventilen. Das Substrat und die Precursor-Behälter können geheizt werden. Zunächst beabsichtigen wir binäre High-k-Dielektrika, wie etwa Al2O3, HfO2, Gd2O3 und ZrO2, als Gate-Oxide für Nanodrahtbauelemente und III-V Feldeffekttransistoren zu wachsen. Später werden auch ternäre Oxide, z.B. GdScO3 und LaAlO3 berücksichtigt.

ALD

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