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Peter Grünberg Institut
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Sub 32 nm Silizium Plattform

Derzeit bildet die Entwicklung und Realisation der Forschungsplattform „Sub 32 nm silicon research platform“ die Kernkompetenz des Instituts PGI-9 auf dem Gebiet der Informationstechnologie. Primäres Ziel ist die Entwicklung und Charakterisierung neuer Funktionsmaterialien und neuer Prozessführungen für optimale Integration in den 22/20 nm Knoten der CMOS Technologie. Dabei konzentrieren wir uns nicht nur auf die Demonstration eines Konzeptes, sondern wir streben immer die direkte Kooperation mit der Industrie an.

Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) hat ein Projekt bewilligt, um die Siliziumtechnologie unseres Instituts auf die modernsten 200 und 300 mm Wafer zu erweitern, um unsere Forschungspotential für innovative Silizium-Nanoelektronik zu stärken (Projekt Nr. 13N9209). Mit Hilfe dieser Mittel wurde unsere AIXTRON Silizium-CVD-Anlage erweitert um einen ALD-Modul (Atomic Layer Deposition) für die Deposition der gate- Dielektrika, und eine neue Depositionsanlage für die gate-Metallisierung. Beide Module sind für 300 mm Wafer ausgelegt. Zusätzlich wurden der Park der 200 mm–Anlagen erweitert um eine Oerlikon-Balzers Sputterkammer, eine reaktive Ionenätzanlage (Oxford Instruments) und um Centroterm-Öfen zur Oxidation und Nitridation.

Unser neues Gebäude mit Reinräumen zur Behandlung der 300 mm Wafer konnte inzwischen eingeweiht werden. Es ist ein Kernstück der „Helmholtz Nanoelectronic Facility (HNF)“, die im Jahr 2010 gegründet wurde.

Wir können auf diese Weise die erfolgreichen Kooperationen zwischen unserem Institut, den europäischen Universitäten und der Industrie deutlich intensivieren, um in diesem modernen und technologisch außerordentlich wichtigen Gebiet die Lücke zwischen der universitären und der industriellen Welt zu schließen.


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