Suche

zur Hauptseite

Peter Grünberg Institut
(leer)

Navigation und Service


SiGe-CVD Epitaxie

Die Epitaxieeinrichtung besteht aus zwei AIXTRON Tricent® SiGe- CVD-Modulen. Diese sind in einem AIXTRON Tricent®-Cluster integriert. Ein automatisierter Brooks Roboter lädt die 200 mm und 300 mm Wafer in die Prozesskammern. Die Reaktoren sind speziell für fortgeschrittene epitaktische Anwendungen auf industriellen Niveau entwickelt worden, hierzu zählen:
• das Tieftemperatur-Wachstum von SiGe-, SiGeSn-, GeSn-, reinen relaxierten und verspannten Ge-Strukturen,
• konventionelle Epitaxieprozesse für CMOS-Bauelemente wie etwa Si- und SiGe-Schichten, oder selektives Wachstum von Silizium und Germanium für verspannte Si- und Ge-Bauelemente,
• das Wachstum von komplexeren Strukturen, z. B. SiGe (Ge) core-shell-Nanodrähten.
Es stehen zusätzlich zu den üblichen Gasquellen, Flüssigquellen zur Auswahl. Hierdurch ergibt sich eine größere Bandbreite an Precursoren, die neue spezielle Anwendungen ermöglichen.



Servicemenü

Homepage