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Peter Grünberg Institut
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Rapid Thermal Processing

Zwei vollautomatische RTP-Öfen sind für CMOS-Prozesse verfügbar

- Mattson Helios Doppelkammer-System für 300mm Wafer

- Mattson AST 2000 Einzelkammer-System für 200mm Wafer

Typische Prozesse sind z.B. die schnelle thermische Oxidation für Gate-Oxid Wachstum, Aktivierung von Dotierungsstoffen, thermische Behandlung von high k Oxid/Metallkontakt-Strukturen  und Silizidierung.

Proben mit kleinen Größen können mit Hilfe von Adaptern prozessiert werden.

 AST 2000Helios
Wafer Größe200 mm300 mm
Temperatur Bereich400°C-1100°C600°C-1200°C
MaterialienPure Si (Ge)Si(Ge), HfO2, TiN, LaLuO3, NixSiy, NixSiyGez
GaseN2, Ar,N2, O2, Ar, H2
ProzesseAnnealingOxidation, Silizidierung, Annealing

Mattson RTP von vorne


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