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Peter Grünberg Institut
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Das Institut beschäftigt sich mit grundlegenden Fragen der Halbleiterphysik, der Halbleitertechnologie und der Bauelementphysik. In der Bauelemententwicklung werden alternative Konzepte verfolgt um die Grenzen elektronischer Bauelemente zu erforschen, z. B. die maximal mögliche Frequenz, Signale zu verstärken oder zu übertragen oder die Miniaturisierbarkeit von Transistoren. Besondere Bedeutung kommt Quanteneffekten in Nanostrukturen zu.

Im Vordergrund steht die Epitaxie von SiGe Schichten, klassischer III/V- Verbindungen und von Gruppe III-Nitriden sowie Untersuchungen von elektronischen und optischen Eigenschaften dieser Halbleitermaterialien. Insbesondere das selbstorganisierte Wachstum von Quantenpunkten und Quantendrähten (whiskern) wird mit verschieden Methoden der Epitaxie untersucht
In enger Zusammenarbeit mit der Industrie wird die Optimierung von verspannten Si Strukturen für die Nanoelektronik voran getrieben.
In der Kombination von EUV-Interferrenz Lithographie und dem selbstorganisierten Wachstum von Nanostrukturen werden neuartige Materialien hergestellt und deren Eigenschaften für den Einsatz in der zukünftigen Informationstechnologie analysiert.

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