Atomic Layer Deposition

Die Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) ist eine vielseitige Methode um dünne, konformale Schichten zu waschen, vor allem High-k-Dielektrika. Unser neues System ist eine anwendungsspezifische SVTA NorthStar ALD-P-200B Anlage, ausgestattet mit einer Heißwand-Depositionskammer und einer Schleusenkammer mit einem Anschluss für eine zukünftige Ankopplung an UHV-Systeme. Die Anlage hat einen Gasverteiler für vier Precursor, eine Ozon-Quelle sowie geheizte Trägergasleitungen mit schnellen ALD-Ventilen. Das Substrat und die Precursor-Behälter können geheizt werden. Zunächst beabsichtigen wir binäre High-k-Dielektrika, wie etwa Al₂O₃, HfO₂, Gd₂O₃ und ZrO₂, als Gate-Oxide für Nanodrahtbauelemente und III-V Feldeffekttransistoren zu wachsen. Später werden auch ternäre Oxide, z.B. GdScO₃ und LaAlO₃ berücksichtigt.