Die Forschungsgruppe konzentriert sich auf die elektrische Charakterisierung und Zuverlässigkeit memristiver Elemente. Die Arbeiten reichen von Redox-basierten resistiven Speichern (ReRAM) bis zu Phasenwechsel-Speichern (PCM) und von Einzelzellen (1R) über 1-Transistor-1-Memristor (1T1R)-Strukturen bis hin zu Arrays und Schaltungen. Ein allgemeiner Schwerpunkt liegt auf der Automatisierung von Messverfahren zur Generierung aussagekräftiger Statistiken. Dies ermöglicht die intrinsische Variabilität der memristiven Elemente zu verstehen und ist entscheidend für die Identifizierung selten auftretender Fehlermechanismen. Es werden Algorithmen zur Programmierung von memristiven Bauelementen unter Berücksichtigung ihrer Variabilität entwickelt. Außerdem verfolgt die Gruppe das Ziel neuromorphe Funktionen mit Hilfe externer DAC und ADC zu emulieren, bevor sie auf einem Chip integriert werden.