An Energy Efficient Memory Cell for Quantum and Neuromorphic Computing at Low Temperatures

Kryogenes Rechnen - einschließlich Quanten-, von-Neumann- und neuromorphen Architekturen - erfordert einen stromsparenden Betrieb und eine hohe Speicherdichte. Wir stellen eine Cryogenic Capacitorless Random Access Memory (C²RAM)-Zelle vor, die auf der fortschrittlichen FDSOI-Technologie basiert und durch ihre Skalierbarkeit und Multistate-Fähigkeit eine höhere Speicherdichte bietet. Unsere Ergebnisse zeigen, dass C²RAM ultralange Speicherzeiten aufweist und sich als künstliche Synapse eignet. Diese Eigenschaften positionieren C²RAM als starken nichtflüchtigen Speicherkandidaten sowohl für Quanten- als auch für neuromorphes Computing bei kryogenen Temperaturen.

An Energy Efficient Memory Cell for Quantum and Neuromorphic Computing at Low Temperatures

Yi Han, Jingxuan Sun, Benjamin Richstein, Andreas Grenmyr, Jin Hee Bae, Frederic Allibert, Ionut Radu, Detlev Grützmacher, Joachim Knoch, Qing-Tai Zhao* https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c05855

ACS Nano Letters. Veröffentlicht am 13. April, 2025

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Letzte Änderung: 29.04.2025