An Energy Efficient Memory Cell for Quantum and Neuromorphic Computing at Low Temperatures
Kryogenes Rechnen - einschließlich Quanten-, von-Neumann- und neuromorphen Architekturen - erfordert einen stromsparenden Betrieb und eine hohe Speicherdichte. Wir stellen eine Cryogenic Capacitorless Random Access Memory (C²RAM)-Zelle vor, die auf der fortschrittlichen FDSOI-Technologie basiert und durch ihre Skalierbarkeit und Multistate-Fähigkeit eine höhere Speicherdichte bietet. Unsere Ergebnisse zeigen, dass C²RAM ultralange Speicherzeiten aufweist und sich als künstliche Synapse eignet. Diese Eigenschaften positionieren C²RAM als starken nichtflüchtigen Speicherkandidaten sowohl für Quanten- als auch für neuromorphes Computing bei kryogenen Temperaturen.
Yi Han, Jingxuan Sun, Benjamin Richstein, Andreas Grenmyr, Jin Hee Bae, Frederic Allibert, Ionut Radu, Detlev Grützmacher, Joachim Knoch, Qing-Tai Zhao* https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c05855
ACS Nano Letters. Veröffentlicht am 13. April, 2025
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Prof. Dr. Qing-Tai Zhao
Group Leader
- Peter Grünberg Institut (PGI)
- Halbleiter-Nanoelektronik (PGI-9)
Raum 3024