Epitaxie topologischer Isolatoren - AG Mussler
Über
In unserer Arbeitsgruppe beschäftigen wir uns mit der Molekularstrahlepitaxie von topologischen Isolatoren und Supraleitern für die Quanteninformation.
Forschungsthemen
Gruppenmitglieder
Publikationen
Aktuelle Publikationen
- Kevin Janßen, Philipp Rüßmann, Sergej Liberda, Michael Schleenvoigt, Xiao Hou, Abdur Rehman Jalil, Florian Lentz, Stefan Trellenkamp, Benjamin Bennemann, Erik Zimmermann, Gregor Mussler, Peter Schüffelgen, Claus-Michael Schneider, Stefan Blügel, Detlev Grützmacher, Lukasz Plucinski, Thomas Schäpers; Characterization of single in situ prepared interfaces composed of niobium and a selectively grown (Bi1−𝑥Sb𝑥)2Te3 topological insulator nanoribbon. 22 March 2024 Phys. Rev. Materials 8, 034205 https://doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.8.034205
- Matvey Lyatti, Ines Kraiem, Torsten Röper, Irina Gundareva, Gregor Mussler, Abdur Rehman Jalil, Detlev Grützmacher, Thomas Schäpers; In-Plane Anisotropy of Electrical Transport in Y0.85Tb0.15Ba2Cu3O7−x Films. 24 January 2024 Materials, 17(3), 558; https://doi.org/10.3390/ma17030558
- Abdur Rehman Jalil, Xiao Hou, Peter Schüffelgen, Jin Hee Bae, Elmar Neumann, Gregor Mussler, Lukasz Plucinski, Detlev Grützmacher; Phase-Selective Epitaxy of Trigonal and Orthorhombic Bismuth Thin Films on Si (111). 24 July 2023 Nanomaterials 2023, 13(14), 2143; https://doi.org/10.3390/nano13142143
- Gerrit Behner, Abdur Rehman Jalil, Dennis Heffels, Jonas Kölzer, Kristof Moors, Jonas Mertens, Erik Zimmermann, Gregor Mussler, Peter Schüffelgen, Hans Lüth, Detlev Grützmacher, Thomas Schäpers; Aharonov-Bohm Interference and Phase-Coherent Surface-State Transport in Topological Insulator Rings. 3 July 2023 Nano Lett. 2023, 23, 14, 6347–6353 https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.3c00905
- Erik Zimmermann, Jonas Kölzer, Michael Schleenvoigt, Daniel Rosenbach, Gregor Mussler, Peter Schüffelgen, Tristan Heider, Lukasz Plucinski, Jürgen Schubert, Hans Lüth, Detlev Grützmacher, Thomas Schäpers; Universal conductance fluctuations in a Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2 topological insulator nano-scaled Hall bar structure. 1 February 2023 Semicond. Sci. Technol. 38 035010 10.1088/1361-6641/acb45f
Letzte Änderung: 14.11.2024