Integration neuartiger elektronischer Bauelemente
Über
Die Forschungsgruppe ist auf nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation für Logic-in-Memory-Berechnungen und -Speicherung spezialisiert, wobei der Schwerpunkt auf der RRAM-Integration am Backend der modernen CMOS-Technologie liegt. Durch die Nutzung von Logic-in-Memory-Computing streben wir danach, Datenbewegungen zu minimieren und die Effizienz von Berechnungen zu verbessern. Durch innovative Material- und Bauteilentwicklung gehen wir die Herausforderungen der RRAM-Zuverlässigkeit und -Variabilität an und bewerten ihre Auswirkungen auf die Leistung auf Systemebene. Unser interdisziplinäres Team vereint Fachwissen in den Bereichen Materialwissenschaft, Elektrotechnik und Computerarchitektur und widmet sich der Gestaltung der Zukunft von Speicher- und Computertechnologien.
Forschungsthemen
- RRAM-Integration im Backend fortgeschrittener CMOS-Prozesse
- Entwicklung von Oxyden mit hoher Entropie für RRAM-Anwendungen
- Memristive zelluläre nichtlineare Netzwerke mit 1T-1R-Arrays
- Logisches In-Memory-Computing mit 1T-1R-Arrays
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Letzte Änderung: 24.03.2025