Modellierung und Simulation von neuartigen elektronischen Bauteilen
Über
Die Forschungsgruppe „Modellierung und Simulation elektronischer Bauelemente“ entwickelt Siamulationsmodelle, die von atomistischen Methoden (DFT-NEGF, DFT oder MD) über kinetische Monte-Carlo-Modelle bis hin zu Kontinuumsmodellen und kompakten Modellen für den Einsatz in Schaltungssimulatoren reichen. Der Schwerpunkt liegt auf der Entwicklung von memristiven Modellbauteilen wie VCM-, ECM- oder PCM-Zellen in enger Zusammenarbeit mit Kollegen, die an der experimentellen Charakterisierung und Herstellung arbeiten. Ein besonderer Schwerpunkt liegt auf dem Verständnis der Schaltdynamik von memristiven Bauelementen, da diese für den Einsatz von memristiven Bauelementen in Anwendungen wie Computation-in-Memory von Nachteil ist. Die Erkenntnisse aus den Simulationsstudien führen zu optimierten Bauelementekonzepten wie z.B. thermisch optimierten Stapeln. Innerhalb der Gruppe wurden kleine Bausteine für das memristive Rechnen entwickelt/gefertigt und elektrisch validiert, wie z. B. memristive Addierschaltungen, multinäre Logik oder Zellen zellulärer neuronaler Netze.
Forschungsthemen
- Modellierung und Simulation von ReRAM-Bauelementen
- Entwicklung memristiver zellulärer nichtlinearer Netzwerke
- Untersuchung räumlich-zeitlicher Korrelationen in memristiven Crossbar-Arrays für unüberwachte Lernverfahren
- Systemtechnische Co-Optimierung für Computing-in-Memory-Verfahren mit neuartigen elektronischen Bauelementen