Quanten-Theorie der Materialien

Wir berechnen und analysieren die komplexen strukturellen, elektronischen und magnetischen Eigenschaften sowie die Transporteigenschaften von Quantenmaterialien – für Grundlagenforschung und praktische Anwendungen.

Direktor: Prof. Dr. Stefan Blügel

Meldungen und Termine

Künstlerische Darstellung der atomaren Spitze eines Rastertunnelmikroskops beim Abtasten einer Metalloberfläche mit einem aufgelagerten Kobaltatom.

Forscher stellen grundlegende Studie zum Kondo-Effekt in Frage

Jülich, 7. Januar 2021 - Der Kondo-Effekt beeinflusst den elektrischen Widerstand von Metallen bei tiefen Temperaturen und erzeugt komplexe elektronische und magnetische Ordnungen. Neuartige Konzepte zur Datenspeicherung und -verarbeitung, etwa mittels Quantenpunkten, basieren darauf. 1998 veröffentlichten US-amerikanische Forscher spektroskopische Untersuchungen zum Kondo-Effekt mittels Rastertunnelmikroskopie, die als wegweisend gelten und Auslöser für unzählige weitere Untersuchungen dieser Art waren. Zahlreiche dieser Untersuchungen müssen möglicherweise noch einmal überprüft werden, nachdem Jülicher Forscher nun zeigen, dass sich der Kondo-Effekt nicht zweifelsfrei auf diesem Weg nachweisen lässt. Stattdessen erzeugt ein anderes Phänomen genau den spektroskopischen "Fingerabdruck", der bisher dem Kondo-Effekt zugeschrieben wurde.

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PGI Kolloquium: Prof. Dr. Chris Leighton, University of Minnesota, Minneapolis, USA

Recently, incorporation of electrolytes (e.g., ionic liquids) into field-effect transistors has been shown to enable electric double layer transistors, which can induce large (1015 cm-2) carrier densities at surfaces. These correspond to substantial fractions of an electron or hole per unit cell in most materials, sufficient to electrically control electronic phase transitions.

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Joint Lab Virtual Materials Design

Das Ziel des JL-VMD ist die Entwicklung und Validierung von Methoden zur rechnergestützten Materialentwicklung.

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Nachwuchsgruppe Dr. Samir Lounis

Functional Nanoscale Structure Probe and Simulation Laboratory

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Nachwuchsgruppe Dr. Marjana Ležaić

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Nachwuchsgruppe Prof. Dr. Yuriy Mokrousov

Topological Nanoelectronics Group