Elektronische Eigenschaften von Grenzflächen und Oberflächen
Unsere Arbeitsgruppe untersucht elektronische und magnetische Eigenschaften an Oberflächen und Grenzflächen mit einem korrelativen Ansatz. Wir nutzen fortschrittliche Methoden wie Off-Axis-Elektronenholographie im TEM, Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie, Rasterkraftmikroskopie sowie Simulationen der Tunnelspektroskopie und elektronen-optischer Phasenkarten. Unser Fokus liegt auf Polarisationsänderungen in Nitrid-Halbleiter-Heterogrenzflächen, Oxiden und metallorganischen Halid-Perowskiten unter Betriebsbedingungen.
Unsere Forschungsthemen:
- Kartierung elektronischer und magnetischer Eigenschaften an Oberflächen und Grenzflächen
- Charakterisierung von Polarisationsänderungen an Heteroübergängen von Nitridhalbleitern
- Untersuchung von metallorganischen Halogenidperowskiten unter Betriebsbedingungen
- Simulation von Tunnelspektren unter Nichtgleichgewichtsbedingungen
- Physik von Punktdefekten und damit zusammenhängenden In-Gap-Zuständen in III-V-Halbleitern
- Quantitative Messung und Verständnis der Oberflächen-Fermi-Niveau-Pinning
- Elektrische und strukturelle Charakterisierung von ternären III-V-Nanodrähten
- FIB-induzierte Kohlenstoffimplantation an Nitridhalbleiteroberflächen und ihre Auswirkungen auf die Pinning-Niveaus
Kontakt
Dr. Michael Schnedler
Scientific staff at ER-C-1
- er-c
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Raum 98
Ausgewählte Publikationen
[1] L. Freter, L. Lymperakis, M. Schnedler, H. Eisele, L. Jin, J. Liu, Q. Sun, R. E. Dunin-Borkowski, Ph. Ebert: Composition dependence of intrinsic surface states and Fermi-level pinning at ternary AlxGa1−xN m-plane surfaces. J. Vac. Sci. Technol. A 42, 023202 (2024)
[2] K. Ji, M. Schnedler, Q. Lan, J.-F. Carlin, R. Butté, N. Grandjean, R.E. Dunin-Borkowski, Ph. Ebert: Origin of giant enhancement of phase contrast in electron holography of modulation-doped n-type GaN. Ultramicroscopy 264, 114006 (2024)
[3] K. Ji, M. Schnedler, Q. Lan, F. Zheng, Y. Wang, Y. Lu, H. Eisele, J.-F. Carlin, R. Butté, N. Grandjean, R. E. Dunin-Borkowski, and Ph. Ebert: Identification and thermal healing of focused ion beam-induced defects in GaN using off-axis electron holography. Appl. Phys. Express 17, 016505 (2024)
[4] Q. Lan, M. Schnedler, L. Freter, C. Wang, K. Fischer, Ph. Ebert, and R. E. Dunin-Borkowski: Electrostatic extension of magnetic proximity effect in La0.7Sr0.3MnO3, Phys. Rev. B 108, Letter L180410 (2023)
[5] D. S. Rosenzweig, M. Schnedler, R. E. Dunin-Borkowski, Ph. Ebert, H. Eisele: Morphologic and electronic changes induced by thermally supported hydrogen cleaning of GaAs(110) facets. J. Vac. Sci. Technol. B 41, 044202 (2023)
[6] L. Freter, H.-C. Hsu, R. Sankar, C.-W. Chen, R. E. Dunin-Borkowski, Ph. Ebert, Y.-P. Chiu, M. Schnedler, Interplay of field-induced molecular dipole alignment and compensating surface polarization in low-temperature P-V hysteresis of MAPbBr3(001), Phys. Rev. Mat. Lett. 7, L052401 (2023)
[7] D. S. Rosenzweig, M. N. L. Hansemann, M. Schnedler, Ph. Ebert, H. Eisele, Atomically resolved study of initial stages of hydrogen etching and adsorption on GaAs(110), Phys. Rev. Mat. 6, 124603 (2022)
[8] D. S. Rosenzweig, M. N. L. Hansemann, Ph. Ebert, M. Schnedler, H. Eisele, GaAs(110) Surface Modifications Introduced by Hydrogen, 2022 Comp. Semicon. Week (CSW) 1-2 (2022)
[9] Y. Lu, F. Zheng, Q.Lan, M. Schnedler, Ph. Ebert, R. E. Dunin-Borkowski, Counting Point Defects at Nanoparticle Surfaces by Electron Holography, Nano Lett. 22, 6936–6941 (2022)
[10] Q. Lan, C. Wang, L. Jin, M. Schnedler, L. Freter, K. Fischer, J. Caron, X. Wei, T. Denneulin, A. Kovacs, Ph. Ebert, X. Y. Zhong, R. E. Dunin-Borkowski, Electrostatic Shaping of Magnetic Transition Regions in La0.7Sr0.3MnO3, Phys. Rev. Lett. 129, 057201 (2022)